256K DRAM
[ 256K dynamic random access memory ]
- 요약
회로선폭이 머리카락 굵기의 1/80, 새끼손톱 크기의 절반밖에 안 되는 칩 속에 55만 개의 트랜지스터를 집적시켜 3만 2천 자의 글자를 기억시킬 수 있는 반도체 소자이다.
이 소자는 고성능 컴퓨터의 기억장치, 항공기, 통신기기 방위산업 분야의 핵심을 이루는 부품이다.
삼성전자에서
개발한 256K DRAM은 넓이 52.44㎟(4.04×12.98mm)의 실리콘판에
폭 2μm(1μm=10-3)으로, 총 90만 개의 소자(素子)를 연결시켜, 3만 2000개의
글자를 기억시킬 수 있게 한 반도체 소자이다.
특히, 삼성의 256K DRAM은 3만 2000자 이외에 1만 750자의 여분으로
정정(訂正)시스템이라는 예비부분을 갖추고 있는 점이 기존 256K DRAM과 다르다. 이
정정시스템은 본래의 기억을 담당한 소자가 제작과정이나 사용 중에 잘못되었을 때
자동적으로 이 여분소자로 연결되는 것으로서, 그만큼 반도체의 신뢰도를 높이는
역할을 하게 된다. 작동하는 시간은 120ns(1=10-9s)로서, 1초에 850만 번의
반복작용을 할 수 있는 능력을 가지고 있다.
256K DRAM의 양산공장을 보유하고
있는 곳은 미국의 인텔(Intel Corporation), 일본의 NEC(Nippon Electric Company),
한국의 삼성전자(주)이다. 1984년 삼성반도체는 세계에서 세 번째로 6인치 웨이퍼 설비의 256K
DRAM 공장을 준공, 양산에 들어갔다.