이온주입법

요약 반도체의 기판(基板)에 특정 불순물의 이온을 주입해서 반도체 소자(素子)를 만드는 기술.

반도체에는 거의 순수에 가까운 진성반도체(眞性半導體)와 그것에 약간의 불순물을 가한 불순물반도체가 있다. p형이라든가 n형이라고 하는 것은 불순물반도체를 말하는 것인데, 이온주입법은 이 불순물반도체를 만드는 방법 중 하나이다. 목적하는 불순물을 이온으로 하고, 수십~수백 keV로 가속한 이온빔을 만들어서 반도체의 기판에 주입한다. 이온을 주입하면, 이온에 의해서 기판의 결정(結晶) 속에 결함이 생기는데 적당한 열처리를 하면 결함은 없어지고 불순물이 결정격자(結晶格子) 속에 넣어진다. 열확산법(熱擴散法)과는 본질적으로 다르며, 진공 속 또는 실온(室溫) 상태에서 할 수 있는 것이 특징이다.

실리콘(규소) 반도체의 불순물 제어를 강화하는 것을 목표로 개발된 것인데, 집적회로, 특히 대규모직접회로(LSI)의 집적밀도나 제품비율의 향상에 실적을 올리고 있다. 이온주입법은 합금이나 화합물의 제조에도 이용된다.