반도체콘덴서

요약 자기(磁器)콘덴서의 유전체(誘電體)로서 티탄산바륨을 사용하고, 티탄산바륨 반도체자기의 표면 또는 결정립계(結晶粒界)에 얇은 절연층을 만든 것.

즉, 반도체의 p-n접합에 역(逆)바이어스 전압(p영역을 n영역에 대하여 음전압으로 한다)을 가하면, p영역 내의 양공(陽孔:정공)은 음전위(陰電位)에 끌리고, n영역 내의 전자(電子)는 양전위에 끌려서 물리적 p-n접합의 양쪽에, 전자 및 양공이 없는 영역, 즉 공핍층이 생긴다. 이 영역 내에는 이동할 수 있는 전하가 없으므로 절연체를 형성하게 되며, 공핍층을 유전체로 하여 그 양끝 면에 전극이 있는 콘덴서가 형성된 결과가 된다.

반도체 콘덴서에서는 가하는 전압을 높게 하면, 공핍층의 폭이 증대하고 전기용량(capacitance)은 감소하나, p형 및 n형 영역의 불순물농도, 즉 받개(acceptor) ·주개(donor)의 밀도 분포를 바꿈으로써 전압-커패시턴스 특성을 변화시킬 수가 있다. 반도체 콘덴서는 텔레비전이나 라디오의 자동동조(自動同調), 저잡음수신에 사용되는 파라메트릭 증폭기, 반도체집적회로의 커패시터 등에 사용되는 반면, 각종 반도체소자의 기생(寄生) 커패시터로 되어 회로특성을 열화(劣化)시키는 원인으로도 되어 있다.