저마늄다이오드

요약 저마늄을 소재로 사용한 반도체 다이오드이며 전자관을 대신하는 각종 반도체 소자 출현의 실마리가 되었고, 특히 트랜지스터의 발명에 직접적으로 기여하였다. 용도 및 성능에 따라 점접촉 다이오드, 접합 다이오드 등이 있다.

무선수신기의 검파기를 비롯하여 게이트 회로 소자·정류기에 쓰인다. 1941년 독일의 지멘스에 의하여 개발된 후 제2차 세계대전 이래 반도체 기술의 발달과 더불어 초고주파 검파기 등에 응용되고, 전자관을 대신하는 각종 반도체 소자 출현의 실마리를 열었는데, 특히 트랜지스터와 터널(에사키)다이오드의 발명에 직접 기여하였다.

용도 및 성능에 따라 점접촉 다이오드, 접합 다이오드, 가변용량 다이오드, 더블베이스 다이오드, 4층(pnpn) 다이오드, 터널다이오드 등이 있다. 그 중에서 점접촉 다이오드가 가장 잘 알려져 있는데, 이 다이오드의 결점인 순방향저항이 높고 기계적으로 약한 점을 개량한 것으로 골드본드 다이오드 및 실버본드 다이오드가 있다. 그러나 1960년대부터는 특성이 더 좋은 실리콘 다이오드에 의해 대체되었다.