반도체소자 Qna 관련 답변 10 페이지

mos capacitor에서 공핍영역

위 사진에서 1. C(ox)에서 위극판에 +전하 아래 극판에 -전하 C(dep)에서 위극판에 -전하 아래 극판에 +전하 이렇게 전하배치 생각하면 맞는건가요 아니면 2. C(dep)에서...

태그: 반도체소자, 반도체공학, 반도체, 커패시터, mosfet

애벌런치 포토다이오드나 광다이오드에...

애벌런치 포토 다이오드나 광 다이오드를 보면 p+기판 위에 p-에피층이 있던데 에피층은 뭐고 에피층은 소자에서 어떤 역할을 하나요 Epi 층은 반도체 소자를 제조할 때...

태그: 반도체, 반도체공학, 반도체소자공학, 반도체소자, 반도체설계

MOSFET과 FDSOI구조의 BODY DOPING에...

우선 MOSFET에서 굳이 Body를 Doping해주는 이유가 무엇인지 궁금합니다. NMOSFET에서 BODY를 P-type으로 도핑해주면 오히려 carrier로 사용되는 전자가 줄어드는 것...

태그: MOSFET, FDSOI, BODY, DOPING, 바디, 도핑, Transistor, 반도체공학, 반도체소자

p채널에서 전류가 어떻게 흐르나요...

모스펫동작원리를 보는데요 p채널은 전자를 밀어내어 만든 정공으로 이뤄진 통로인데 전류가 어떻게 흐르나요? 쉽게 이렇게 생각하면 됩니다. N채널의 경우입니다 . 어떤...

태그: 전자회로, 반도체, 반도체소자, 전자공학, 전기전자, 모스펫

낸드플래시 관련 논문 해석부탁드립니다

It is clear that we can accelerate TTEM by temporally making high electric field across tunneling oxide. - 일시적으로 터널링 산화물 쪽에 높은 전기장을 만들어 TTEM을...

태그: 반도체소자, 낸드플래시, 논문해석, 번역, 낸드플래시메모리

반도체공정에 대해서 질문드립니다!!...

웨이퍼에 sio2를 증착시키고 네거티브 pr 코팅 후에 알루미늄 증착을 하고 boe용액에 오랬동안 담궈놓았는데 식각이 되지 않았습니다.. 저 상태인데 왜 불량이 나오고...

태그: 반도체, 반도체공정, 식각공정, 반도체공학, 8대공정, 반도체장비, 전자공학ㅂ, 반도체소자, 문제풀이

nand flash 관련 논문 한 줄 해석...

It is clear that we can accelerate TTEM by temporally making high electric field across tunneling oxide. - 일시적으로 터널링 산화물 쪽에 높은 전기장을 만들어 TTEM을...

태그: 반도체소자, nandflash, 낸드플래시메모리, 논문해석, 영어해석

trapped tunneling electron을...

포획된 터널링 전자??? 잡힌 터널링 전자?? 어떤식으로 말해야 맞는건가요? 갇힌 터널링 전자라고 하는게 좋을 것 같네요

태그: 반도체, 영어해석, 반도체소자, 반도체공학, 물리전자

CMOS 공정 Phosphorus, Arsenic

1. CMOS 공정에서 N-Well 을만들땐 왜 Phosphorus사용하고 Threshold 를 조정하기 위해선 Arsenic 사용하나요?? Boron처럼 통일하면 안되나요? 2. 왜 nmos source and...

태그: 반도체공정, 반도체, 반도체공학, 반도체소자

반도체 소자 PN접합 질문이용

다음 문제에서 (d)가 질문인데요 문제에서 각 영역에서 소수 캐리어 농도를 물어보는건데 Ntype에선 p의 농도를 찾아야 하잖아요,, 그러면 소수캐리어 농도= 평형...

태그: 반도체소자, 공대생, 반도체공학, 공대

    실시간 인기 검색어
    인기 검색어 더보기 →
    ...