반도체 및 다이오드 문제 질문
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1. 게르마늄과 실리콘 원자의 에너지 갭을 비교할 때, 실리콘 원자의 에너지 갭은?
1) 거의 같다 2) 보다 작다 3) 보다 크다 4)예측 할 수 없다
2. 온도를 일정하게 유지하면서, 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 전압을 증가시켰다. 이 다이오드의 포화전류는?
1) 증가 2) 감소 3) 같은 크기 유지 4) 표면누설전류와 동일
3. 다이오드에서 pn접합의 에너지 언덕은 다이오드가 ___(일)때 감소한다.
1) 순방향 바이어스 2) 처음 만들어질 3) 역방향 바이어스 4) 도전하지 않을
4. 역방향 전압이 ___ 증가할 때 표면누설전류는 2배가 된다.
1) 7% 2) 100% 3) 200% 4) 2mV
답만 써주셔도 됩니다 ! 부탁드려용 ㅠ
1) 거의 같다 2) 보다 작다 3) 보다 크다 4)예측 할 수 없다
2. 온도를 일정하게 유지하면서, 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 전압을 증가시켰다. 이 다이오드의 포화전류는?
1) 증가 2) 감소 3) 같은 크기 유지 4) 표면누설전류와 동일
3. 다이오드에서 pn접합의 에너지 언덕은 다이오드가 ___(일)때 감소한다.
1) 순방향 바이어스 2) 처음 만들어질 3) 역방향 바이어스 4) 도전하지 않을
4. 역방향 전압이 ___ 증가할 때 표면누설전류는 2배가 된다.
1) 7% 2) 100% 3) 200% 4) 2mV
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