반도체 문제좀 풀어주세요.(박막)

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반도체 문제좀 풀어주세요.(박막)

작성일 2023.02.21댓글 1건

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1. 다음 중 챔버 내 압력 및 전극 간 거리와 방전이 일어나는 전압과의 관계에 대한 파셴 커브에 대해 잘못 설명한 것은?

<input type="radio" id="testChk1" name="testChk" value="1" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 1. 공정 압력의 조건은 반드시 파셴 커브의 최저점에서 설정해야 한다.

<input type="radio" id="testChk2" name="testChk" value="2" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 2. 너무 낮은 압력과 전극 간 거리에서는 방전 전압이 증가한다.

<input type="radio" id="testChk3" name="testChk" value="3" checked="" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 3. 전극 간의 거리가 멀어지면 전자가 중성 기체와의 충돌이 잦아 방전 전압이 증가한다.

<input type="radio" id="testChk4" name="testChk" value="4" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 4. 가스의 종류마다 파셴 커브가 다 다르다.

2. 박막 공정 진행 후 다량의 각진 형태의 이물질이 웨이퍼에서 발견되었다. 가장 유력한 원인이 될 수 있는 것은?

<input type="radio" id="testChk1" name="testChk" value="1" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 1. 챔버에서 떨어진 파티클

<input type="radio" id="testChk2" name="testChk" value="2" checked="" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 2. 동종 반응 등으로 인한 파티클

<input type="radio" id="testChk3" name="testChk" value="3" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 3. 증착 공정 전 사전 파티클

<input type="radio" id="testChk4" name="testChk" value="4" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 4. 공기 중의 수분에 의한 물반점\

3.원자층 증착 공정에 대한 설명으로 바른 것을 고르시오.

<input type="radio" id="testChk1" name="testChk" value="1" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 1. 1cycle 완료 후 표면 상태는 초기 상태와 동일할 필요는 없다.

<input type="radio" id="testChk2" name="testChk" value="2" checked="" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 2. 화학 흡착은 리간드 교환, 해리 및 연합 등의 원리로 일어난다.

<input type="radio" id="testChk3" name="testChk" value="3" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 3. 전구체는 빠른 증착을 이루기 위해 동시에 들어가야 한다.

<input type="radio" id="testChk4" name="testChk" value="4" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 4. 1cyle 내에서 전구체는 반드시 2개가 주입되어야 한다.

4.다음 중 Cryo 펌프와 관련 있는 내용은?

<input type="radio" id="testChk1" name="testChk" value="1" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 1. 증가압이 낮은 기체일수록 고온에서 포획되기 쉽다.

<input type="radio" id="testChk2" name="testChk" value="2" checked="" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 2. 80K 배플 및 냉각판에서는 O2, N2 등의 가스가 흡착된다.

<input type="radio" id="testChk3" name="testChk" value="3" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 3. 구조가 복잡하여 leak 발생의 우려가 높고 활성탄에 의한 오염 등의 단점이 있다.

<input type="radio" id="testChk4" name="testChk" value="4" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 4. H2나 He과 같은 boiling 온도가 높은 기체는 활성탄의 빈 공간 안에 가두는 방식이다.

5. 다음 중 Step Coverage 문제로 인한 over-hang에 의한 void 발생으로 생기지 않는 불량은?

<input type="radio" id="testChk1" name="testChk" value="1" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 1. 배선 간 short

<input type="radio" id="testChk2" name="testChk" value="2" checked="" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 2. 금속 배선 저항 증가

<input type="radio" id="testChk3" name="testChk" value="3" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 3. RC delay

<input type="radio" id="testChk4" name="testChk" value="4" style="padding: 0px; margin-top: 0px; margin-right: 0px; margin-left: 0px; "Nanum Gothic", 나눔고딕, sans-serif; vertical-align: middle;"> 4. 도체 등의 잔류물

익명 작성일 -

1. 다음 중 챔버 내 압력 및 전극 간 거리와 방전이 일어나는 전압과의 관계에 대한 파셴 커브에 대해 잘못 설명한 것은?

1. 공정 압력의 조건은 반드시 파셴 커브의 최저점에서 설정해야 한다.

2. 너무 낮은 압력과 전극 간 거리에서는 방전 전압이 증가한다.

3. 전극 간의 거리가 멀어지면 전자가 중성 기체와의 충돌이 잦아 방전 전압이 증가한다.

4. 가스의 종류마다 파셴 커브가 다 다르다.

전극 간의 거리가 멀어지면 전자가 중성 기체와의 충돌이 잦아 방전 전압이 증가한다. 에 대한 설명이 잘못되었습니다.

전극 간 거리가 멀어지면 전자와 이온의 충돌 확률이 감소하기 때문에 방전 전압이 증가합니다. 이와 반대로 전극 간 거리가 가까워지면 전자와 이온의 충돌 확률이 증가하므로 방전 전압이 감소합니다. 따라서, 3번 설명이 틀렸습니다.

2. 박막 공정 진행 후 다량의 각진 형태의 이물질이 웨이퍼에서 발견되었다. 가장 유력한 원인이 될 수 있는 것은?

1. 챔버에서 떨어진 파티클

2. 동종 반응 등으로 인한 파티클

3. 증착 공정 전 사전 파티클

4. 공기 중의 수분에 의한 물반점

챔버에서 떨어진 파티클이 가장 유력한 원인일 수 있습니다.

박막 공정을 진행할 때 챔버 내부는 매우 깨끗하게 유지되어야 합니다. 그러나 챔버 내부에서 특정 조건이 만들어지면 파티클이 발생할 수 있습니다. 이러한 파티클은 박막에 포함될 수 있고, 이는 박막의 결함이 될 수 있습니다. 각진 형태의 이물질은 대개 챔버 내부의 벽면이나 샘플 홀더와 같은 부분에서 발생하는 파티클로 생각됩니다.

따라서, 1번 챔버에서 떨어진 파티클이 가장 유력한 원인일 수 있습니다.

3.원자층 증착 공정에 대한 설명으로 바른 것을 고르시오.

1. 1cycle 완료 후 표면 상태는 초기 상태와 동일할 필요는 없다.

2. 화학 흡착은 리간드 교환, 해리 및 연합 등의 원리로 일어난다.

3. 전구체는 빠른 증착을 이루기 위해 동시에 들어가야 한다.

4. 1cyle 내에서 전구체는 반드시 2개가 주입되어야 한다.

원자층 증착은 반응 과정에서 단일 분자나 분자의 일부가 표면에 흡착되는 과정을 거칩니다. 이 과정에서 표면의 구조가 변하게 되며, 따라서 1cycle 완료 후 표면 상태가 초기 상태와 동일할 필요는 없습니다. 따라서 1번이 맞는 설명입니다. 화학 흡착은 리간드 교환, 해리 및 연합 등의 원리로 일어나는 것이 맞지만, 이는 원자층 증착과는 직접적으로 관련이 없는 내용입니다. 전구체가 동시에 들어가는 것이 빠른 증착을 이루는 데 유리하다는 것도 옳은 설명이지만, 이 역시 원자층 증착과는 직접적으로 관련이 없는 내용입니다. 마지막으로 4번은 전구체가 1개일 수도, 2개 이상일 수도 있으며, 이는 특정한 조건에 따라 다양하게 결정될 수 있습니다. 따라서 4번은 틀린 설명입니다.

4.다음 중 Cryo 펌프와 관련 있는 내용은?

1. 증가압이 낮은 기체일수록 고온에서 포획되기 쉽다.

2. 80K 배플 및 냉각판에서는 O2, N2 등의 가스가 흡착된다.

3. 구조가 복잡하여 leak 발생의 우려가 높고 활성탄에 의한 오염 등의 단점이 있다.

4. H2나 He과 같은 boiling 온도가 높은 기체는 활성탄의 빈 공간 안에 가두는 방식이다.

Cryo 펌프는 저온 (일반적으로 액질소 또는 액소 온도인 77K)에서 가스 분자들을 흡착하거나 흡착된 가스 분자들을 수증기로 변환시켜 진공 상태를 유지하는데 사용되는 장비입니다. 따라서 2번이 맞는 설명입니다. Cryo 펌프는 구조가 복잡하지 않은 단순한 구조를 가지며, 활성탄에 의한 오염 등의 단점도 적습니다. 증가압이 낮은 기체일수록 고온에서 포획되기 쉽다는 것은 Cryo 펌프와 관련이 없는 내용입니다. H2나 He과 같은 boiling 온도가 높은 기체는 활성탄에 가두는 방식이 아니라, 압축기로 빨아들이는 방식으로 Cryo 펌프와 관련이 없습니다.

5. 다음 중 Step Coverage 문제로 인한 over-hang에 의한 void 발생으로 생기지 않는 불량은?

1. 배선 간 short

2. 금속 배선 저항 증가

3. RC delay

4. 도체 등의 잔류물

도체 등의 잔류물은 Step Coverage 문제로 인한 over-hang에 의한 void 발생과 직접적인 연관이 없는 불량입니다. 따라서 이 문항에서는 1, 2, 3번 중에서 Step Coverage 문제로 인한 over-hang에 의한 void 발생으로 생길 수 있는 불량을 찾는 것이 맞습니다. 이 중에서는 2번 금속 배선 저항 증가가 해당합니다. Step Coverage 문제로 인해 일부 지역에서 금속 배선 두께가 얇아져 전류의 흐름이 저해되면서 배선 저항이 증가하게 됩니다. 이는 전기적 불량으로서, 1번의 배선 간 short, 3번의 RC delay와는 구분됩니다.

reference :

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