어떤식으로 저항값을 측정했는지 몰라도 오차가 있다면 그것은 다음원인중 하나입니다.
hFE의 편차 -- hFE는 직류전류 증폭률입니다. 즉 Ic = hFE x Ib가 됩니다. 여기서 Ic는 결국 TR에서 저항값이라 할수 있죠. hFE는 같은 회사에 같은 hFE등급이라 해도 생산 rot에 따라서도 편차가 발생합니다.
님이 이론상으로 풀때 hFE는 얼마나 했나요... 그리고 TR에 적힌 hFE의 등급은 무엇인가요...
품명 제일 마지막에 보면 R,O,Y,GR,BL이런 문구가 있을것입니다. 그것이 hFE등급표시입니다. datasheet에서 각 등급에 따른 hFE값을 이론값에서 적용한것도 차이가 있는지 확인해 보세요.
hFE값이 낮을때는 저항값도 높게 나올수 있습니다.
두번째로 주변온도입니다. datasheet에 나온 특성값은 대부분 25℃를 기준으로 합니다. 주변온도가 낮거나 높을때는 당연히 달라지죠. 이론값과 비슷한 결과를 내려면 주변온도로 중요합니다. 일반적으로 반도체는 주변온도가 낮아질수록 모든 특성이 좋아집니다.
세번째로 그냥 단순히 계측기의 오차일 가능성도 있습니다.
참고하세요.