테크네트론

요약 1958년에 프랑스에서 발명된 전기장효과를 이용한 반도체의 3단자 소자이다. 입·출력 임피던스가 높다는 특징이 있어 전자관과 같은 회로 구성을 할 수 있다.

입·출력 가 높으므로 전자관과 같은 회로구성을 할 수 있는 것이 이점이며, 접합형 전기장효과 트랜지스터라고도 한다. 같은 종류의 것에 모스전기장효과 트랜지스터가 있다. 1958년에 프랑스의 우정청 연구소(郵政廳硏究所)에서 발명하였다. 구조는 n형의 반도체에 전자의 유입구인 소스와 전자의 집전극(集電極)인 드레인을 장치하고, 저마늄막대 중간에 인듐으로 p형의 접합을 만들어 로 삼는다. 게이트에 신호전압을 가하고, 이 전압으로 드레인-소스 사이의 전류를 제어하여 증폭작용을 가지게 한다. 특징은 입력 임피던스가 몇 MΩ, 출력임피던스가 1MΩ 정도로 높으며, 사용할 수 있는 주파수가 500MHz 정도까지이다.