광반도체소자
[ optical semiconductor device , 光半導體素子 ]
- 요약
속도가 빠르고 발광특성이 큰 칼륨·비소·인 등의 화합물 또는 인듐과 인계의 인공화합물을 이용하여 만든 회로소자를 말한다. 기존의 반도체 집적회로보다 20억배 많은 정보를 1000배이상의 빠르기로 처리할 수 있다.
일본의 니혼전기[日本電機:NEC]의 광(光)일렉트로닉스 연구소가 개발한 것으로 진공관이나 트랜지스터의 발명에 필적할 획기적인 업적으로 평가되고 있다. 이 반도체는 자체에서 빛을 내는 발광물질로서 발광부와 전자회로를 집적시킨 것이며 전기를 받으면 빛을 내는 특성을 이용, ON ·OFF의 두 신호로 바꾸는 쌍안정성(雙安定性)을 활용한 것이다.
따라서 이 반도체는 파장 1.5μm의 레이저를 사용하기 때문에 기존의 반도체집적회로보다 단위시간당 20억 배나 많은 정보를 1,000배 이상의 빠르기로 처리할 수 있다. 광반도체는 1964년 미국의 G.J.라숴에 의하여 그 이론적 근거가 마련되었고, 1981년에 일본에서, 1982년에 미국에서 그 실험용 소자가 개발되었다.