물리전자공학 Qna 관련 답변 6 페이지
GaAs 갈륨비소 평면에 존재하는...
질문이 {110} {111} 평면에 존재하는 As원자의 개수를 각각 A B 라고 할 때 . (A+B)의 최댓값 x (A+B)의 최솟값을 구하시오 입니다. 풀이과정과 답이 궁금합니다 ㅠㅠ
물리전자 질문있습니다.
위 문제의 해설지에서 이해 안되는 일부분입니다. 책에서 300K에서 si의 Nc는 2.8*10^19 라고 표에서 제시되어져 있었습니다. 그런데 뒤에 (T/300K)^3/2가 무얼 의미하는지...
태그: 물리전자공학
물리전자공학 질문있습니다
문제에서 GaAs {110} 평면과 {111}평면에 존재하는 As 원자의 개수를 각각 A B 라고 할때 [(A+B)의 최대값] x [(A+B)의 최소값] 을 구하시오 입니다 자세한 풀이과정과 답이...
태그: 물리전자공학, 갈륨비소, 격자구조, 평면, 원자의개수, 원자, 반도체, 반도체공학, 전자, 결정격자구조
도핑시 에너지 준위가 전도대 가깝게
도핑시 에너지 준위가 전도대 가깝게 형성되는데, 그 준위에 있는 전자들은 자유전자랑 공유결합하는 전자들이 같이 있나요? 답변입니다
양자우물(전위장벽) 설명좀 부탁드립니다.
+원자핵을 중심으로 전자들은 궤도안에서 돌고 빨간색으로 밑줄친부분에 전자들이 움직인다고 하는데 잘모르겠습니다. 양자우물에 대해 간단히 정리좀 부탁드립니다 ㅠㅠ
나트륨의 첫번째 이온화에너지 구하는법
나트륨의 첫번째이온화 에너지를 구하는 과정을 최대한 자세히 알려주시면 감사하겠습니다ㅠㅠ [z-a]^2×R/n^2 z는 핵전하량 a는 가리움상수 R는리드베리상수 n은 최외각...