ntype Qna 관련 답변 1 페이지
반도체공학 문제 질문 드립니다.
An Mos capacitor has a P+ polysilicon gate, substrate doping of Nd = 10^16 cm^-3, and gate oxide thickness of tox = 80nm. The breakdown field of the oxide is...
태그: 전자공학, 반도체공학, si, 반도체, 캐패시터, capacitor, semiconductor, electronics, ptype, ntype