기본적으로 N-Channel MOSFET은 (+)의 Threshold Voltage를 가진다고 알고 있습니다. 하지만 위의 그래프에서는 Substrate 내의 Acceptor doping concentration와 산화물...
문턱 전압의 조절이 중요하다고 하는데 반도체 칩 제조 후 외부에서 가해지는 VDD는 항상 문턱 전압보다... 그렇다면 문턱 전압의 변화가 소자(MOSFET)의 switch...
전기화학 트랜지스터는 일반 트랜지스터와 달리 절연물질을 전해질(electrolyte)로 사용하고 있으며, 기존 절연물질의 정전용량(capacitance, 예로 300 nm 두께의 SiO2는 약...
트랜지스터의 스위칭 작용이 트랜지스터에서 p-n 반도체간 전기장 형성에 의한 문턱 전압 형성이라면 일반적인 p-n 반도체나 다이오드에서도 문턱 전압이 존재할 것인데 왜...
아두이노로 가변저항 트랜지스터 연결해서 문턱 전압의 존재성이나 증폭 작용을 확인하고 싶은데요 가변저항으로 조절하면 트랜지스터에 전류가 흐르는 걸 확인하고...
다이오드에서 문턱전압이 0.7V 라는데 왜 0.7V 인가요? 0.7V 이라는 수치가 어디서 나오는지 궁금합니다. 물질(실리콘 다이오드)특성이라고 보시면 됩니다. 즉...
발광다이오드일 경우 문턱 전압이 약 1.2V 라고 하는데... 발광다이오드는 색상마다 문턱전압이 다릅니다... 빨강색은 문턱전압이 낮습니다. 문턱전압이 1.2V는 적외선(IR)LED...